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外延和摻雜

外延和摻雜

外延和摻雜

2021/5/20 16:02:28

· 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積

GaN,GaAs

· 化學(xué)氣相沉積

SIC

· 離子注入

B,P,F(xiàn),Al,N,Ar,H,He,Si

· 高溫氧化

1150℃

· 高溫?cái)U(kuò)散/退火

900℃-1100℃

· 快速退火

150℃-1000℃

· MPCVD(微波等離子體化學(xué)氣相沉積)

Si上多晶金剛石的外延生長