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        • 硅晶體,由于其優異的各項性能,以及其易于加工的各向參數,被稱作是21世紀最為重要的材料之一
        • 硅晶體的腐蝕可以分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕,各向同性腐蝕往往采用硅的氧化、氧化態硅的氫氟酸類反應、反應物溶解的過程,但由于其對于掩膜的選擇性很低,在實際體加工過程中應用并不多,在化學拋光中應用比較廣泛。
        • 在前面兩篇文章中,我們針對硅晶體結構及硅晶體各向異性腐蝕的原理進行了分析,然而在實際的硅腐蝕工藝中,硅濕法腐蝕的影響因素很多,如:硅片的質量(晶向偏差,晶體缺陷等)、溫度、攪拌、圖形尺寸(即狹縫效應)、腐蝕劑濃度、添加劑、表面缺陷等等
        • 回答這個問題,首先我們要了解一個概念:隧道效應。了解了隧道效應,我們就很容易理解為什么離子注入要傾角。因為注入方向和晶圓有一定傾角后,注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高,而抑制了隧道效應的產生。那為什么一定是7°傾角呢?
        • 隨著人工智能在各行各業應用的興起,對計算機硬件算力的要求也呈爆炸式增長。由于AI算法對于處理器的運算并行性能有著極高要求,因此常規的CPU中的少核心長指令集的形式已經不能滿足如今AI計算的要求。顯卡GPU由于其中有上百個核心,對于AI算法中的乘加運算有著更高的計算效率。但是由于GPU運算依然基于數字電子電路,對于超大AI模型來說,其中的數字式乘法器加法器基于多個場效應晶體管的結構依然具有高功耗的缺點。
        • CMOS邏輯電路的設計要經過邏輯設計、電路設計、和版圖設計的過程。通常首先進行邏輯設計以得到需要的邏輯。在CMOS電路中,一個邏輯通常由PMOS和NMOS組合實現,因為PMOS/NMOS對只在電平轉換的瞬間有電流消耗,這對于大規模集成電路的功耗是大有幫助的
        • 模擬集成電路中,各放大器支路均基于電流鏡框架,以保證穩定運行。電流鏡可理解為一系列具有電流比例關系的恒流源,而恒流源相較恒壓源具有串聯無衰減的特性。因此在一個恒流源支路中可串聯多個晶體管以實現功能,如利用多個場效應晶體管疊加提高輸出電流和擺幅等。模擬集成電路中常常有不止一級放大電路,各級放大器在電流鏡的支持下處于工作點并不受輸入信號電壓的影響。
        • 對于一個濾波系統來說,相位決定了輸出信號的質量與系統的穩定性。如果輸出相位為非線性,輸出信號將獲得不同的延時。顯然在聲音濾波與圖像濾波這類對于信號質量要求較高的場合,非線性帶來的影響是巨大的。而線性相位濾波器可以無失真地處理信號,一般來說,系統的結構對于輸出相位有著較大影響。
        • 在數字信號處理的過程中,模擬信號經過采樣與ADC從連續的模擬信號變為離散的數字信號。然后這些離散的數字信號通過運算單元經過卷積運算將時域信號變為頻域并與濾波器參數進行卷積。最終的輸出頻域信號通過逆卷積再次回到時域信號并進行重建運算。
        • PRBS模塊可根據生成式來生成偽隨機二進制序列,在單周期內偽隨機二進制序列可被視為一隨機序列。但是此模塊可重復生成一個相同序列,因此被稱作‘偽隨機’。使用偽隨機模塊測試光通信系統的優點在于:通過非規則的0/1信號可測試系統對于任意信號傳輸的可靠性,于此同時‘偽隨機’特性使得此二進制序列可被復制
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