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        優勢工藝

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        優勢工藝

        2021/5/20 16:17:22

        · 表面微加工犧牲層工藝

              多種犧牲層技術,包括PI,多晶硅,SiO2,Cu和PSG等

        · 微電鍍

             可利用刻蝕等工藝對塊硅進行準三維結構的微加工,以形成所需要的硅微結構。

        · 深硅刻蝕

              深反應離子腐蝕工藝,基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。其工藝步驟為:鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕。鈍化為反應室中通入C4F8氣體,通過化學反應形成聚合物薄膜;刻蝕為反應室中通入SF6氣體,進行物理和化學刻蝕??涛g均勻性±5%,邊壁角度:90± 1 °,刻蝕高深寬比超高10:1。

        · PZT和AlN工藝

              AlN薄膜最厚可生長2um,6寸晶圓厚度均勻性<2%,殘余應力可控制在200MP內,FWHM低至1°。PZT薄膜。具體工藝能力包括,薄膜最厚可生長2um,壓電系數可實現e31為15C/m2,擊穿場強可達200V,應力可控制在100MPa內。


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