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      • 硅晶體,由于其優異的各項性能,以及其易于加工的各向參數,被稱作是21世紀最為重要的材料之一
      • 硅晶體的腐蝕可以分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕,各向同性腐蝕往往采用硅的氧化、氧化態硅的氫氟酸類反應、反應物溶解的過程,但由于其對于掩膜的選擇性很低,在實際體加工過程中應用并不多,在化學拋光中應用比較廣泛。
      • 在前面兩篇文章中,我們針對硅晶體結構及硅晶體各向異性腐蝕的原理進行了分析,然而在實際的硅腐蝕工藝中,硅濕法腐蝕的影響因素很多,如:硅片的質量(晶向偏差,晶體缺陷等)、溫度、攪拌、圖形尺寸(即狹縫效應)、腐蝕劑濃度、添加劑、表面缺陷等等
      • 回答這個問題,首先我們要了解一個概念:隧道效應。了解了隧道效應,我們就很容易理解為什么離子注入要傾角。因為注入方向和晶圓有一定傾角后,注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高,而抑制了隧道效應的產生。那為什么一定是7°傾角呢?
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